NVR5124PLT1G Fiche technique
Spécifications pour NVR5124PLT1G
Numéro d'article : NVR5124PLT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 240pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 470mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NVR5124PLT1G
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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