NVTFS6H854NTAG Fiche technique
Spécifications pour NVTFS6H854NTAG
Numéro d'article : NVTFS6H854NTAG
Fabricant : ON Semiconductor
La description : TRENCH 8 80V NFET
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 45µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 770pF @ 40V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquet / caisse : 8-PowerWDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
TRENCH 8 80V NFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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