PH6030L,115 Fiche technique
Spécifications pour PH6030L,115
Numéro d'article : PH6030L,115
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 76.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2260pF @ 12V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : LFPAK56, Power-SO8
Paquet / caisse : SC-100, SOT-669
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PH6030L,115
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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