PHD9NQ20T,118 Fiche technique
Spécifications pour PHD9NQ20T,118
Numéro d'article : PHD9NQ20T,118
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 959pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 88W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DPAK
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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