PHN210,118 Fiche technique
Spécifications pour PHN210,118
Numéro d'article : PHN210,118
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 20V
Puissance - Max : 2W
Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PHN210,118
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
30205 Pièces
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