PHT6N06LT,135 Fiche technique
Spécifications pour PHT6N06LT,135
Numéro d'article : PHT6N06LT,135
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 5V
Vgs (Max) : ±13V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-223
Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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