PMGD130UN,115 Fiche technique
Spécifications pour PMGD130UN,115
Numéro d'article : PMGD130UN,115
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 145 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 83pF @ 10V
Puissance - Max : 390mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : 6-TSSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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