PMGD175XNEAX Fiche technique
Spécifications pour PMGD175XNEAX
Numéro d'article : PMGD175XNEAX
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 252 mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.25V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.65nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 81pF @ 15V
Puissance - Max : 390mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : 6-TSSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PMGD175XNEAX
Fabricant
Brève description
MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
28875 Pièces
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