PMXB350UPEZ Fiche technique
Spécifications pour PMXB350UPEZ
Numéro d'article : PMXB350UPEZ
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 447 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 116pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DFN1010D-3
Paquet / caisse : 3-XDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PMXB350UPEZ
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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