PMXB40UNEZ Fiche technique
Spécifications pour PMXB40UNEZ
Numéro d'article : PMXB40UNEZ
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 556pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DFN1010D-3
Paquet / caisse : 3-XDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PMXB40UNEZ
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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