PMZ1000UN,315 Fiche technique
Spécifications pour PMZ1000UN,315
Numéro d'article : PMZ1000UN,315
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH SOT883
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 480mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.89nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 43pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 350mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DFN1006-3
Paquet / caisse : SC-101, SOT-883
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH SOT883
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
5816005 Pièces
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