PMZB600UNELYL Fiche technique
Spécifications pour PMZB600UNELYL
Numéro d'article : PMZB600UNELYL
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 600mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 21.3pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 360mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DFN1006B-3
Paquet / caisse : 3-XFDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
5816005 Pièces
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