PSMN0R9-25YLDX Fiche technique
Spécifications pour PSMN0R9-25YLDX
Numéro d'article : PSMN0R9-25YLDX
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 300A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.85 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 89.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6721pF @ 12V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 238W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : LFPAK56, Power-SO8
Paquet / caisse : SC-100, SOT-669
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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