QS8M13TCR Fiche technique
Spécifications pour QS8M13TCR
Numéro d'article : QS8M13TCR
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.5nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 390pF @ 10V
Puissance - Max : 1.5W
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur : TSMT8
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-QS8M13TCR
Fabricant
Brève description
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1113340 Pièces
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