RJK0305DPB-02#J0 Fiche technique
Spécifications pour RJK0305DPB-02#J0
Numéro d'article : RJK0305DPB-02#J0
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +16V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1250pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : LFPAK
Paquet / caisse : SC-100, SOT-669
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
776750 Pièces
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