RN2506(TE85L,F) Fiche technique
Spécifications pour RN2506(TE85L,F)
Numéro d'article :
RN2506(TE85L,F)
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de transistor :
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) :
50V
Résistance - Base (R1) :
4.7 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :
47 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) :
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition :
200MHz
Puissance - Max :
300mW
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
SC-74A, SOT-753
Package d'appareils du fournisseur :
SMV
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
12101630 Pièces
Prix de référence
Notre prix
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