RQ1A070APTR Fiche technique
Spécifications pour RQ1A070APTR
Numéro d'article : RQ1A070APTR
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7800pF @ 6V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 550mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TSMT8
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-RQ1A070APTR
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1697295 Pièces
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