RSS120N03FU6TB Fiche technique
Spécifications pour RSS120N03FU6TB
Numéro d'article :
RSS120N03FU6TB
Fabricant :
Rohm Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 5V
Vgs (Max) :
20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1360pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2W (Ta)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-SOP
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
9808 Pièces
Prix de référence
Notre prix
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