RT1A040ZPTR Fiche technique
Spécifications pour RT1A040ZPTR
Numéro d'article : RT1A040ZPTR
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2350pF @ 6V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.25W (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-TSST
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-RT1A040ZPTR
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1459220 Pièces
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