RUC002N05HZGT116 Fiche technique
Spécifications pour RUC002N05HZGT116
Numéro d'article : RUC002N05HZGT116
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : 1.2V DRIVE NCH MOSFET
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 50V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 350mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SST3
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
1.2V DRIVE NCH MOSFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
13553825 Pièces
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