RUF020N02TL Fiche technique
Spécifications pour RUF020N02TL
Numéro d'article : RUF020N02TL
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 320mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TUMT3
Paquet / caisse : 3-SMD, Flat Leads
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-RUF020N02TL
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
3633310 Pièces
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