RZM002P02T2L Fiche technique
Spécifications pour RZM002P02T2L
Numéro d'article : RZM002P02T2L
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 115pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 150mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : VMT3
Paquet / caisse : SOT-723
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-RZM002P02T2L
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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