SCT20N120 Fiche technique
Spécifications pour SCT20N120
Numéro d'article : SCT20N120
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 290 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 20V
Vgs (Max) : +25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 400V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 175W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : HiP247™
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SCT20N120
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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