SCT3030ALGC11 Fiche technique
Spécifications pour SCT3030ALGC11
Numéro d'article : SCT3030ALGC11
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET NCH 650V 70A TO247N
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 27A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 13.3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 104nC @ 18V
Vgs (Max) : +22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1526pF @ 500V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 262W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247N
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET NCH 650V 70A TO247N
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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