SH8J31GZETB Fiche technique
Spécifications pour SH8J31GZETB
Numéro d'article : SH8J31GZETB
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : 60V PCHPCH MIDDLE POWER MOSFET
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : -
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 10V
Puissance - Max : 2W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SH8J31GZETB
Fabricant
Brève description
60V PCHPCH MIDDLE POWER MOSFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
677485 Pièces
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