SI1034X-T1-E3 Fiche technique
Spécifications pour SI1034X-T1-E3
Numéro d'article : SI1034X-T1-E3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.75nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 250mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : SC-89-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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