SI1563DH-T1-E3 Fiche technique
Spécifications pour SI1563DH-T1-E3
Numéro d'article : SI1563DH-T1-E3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.13A, 880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 570mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : SC-70-6 (SOT-363)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
32487 Pièces
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