SI2315BDS-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SI2315BDS-T1-GE3
Numéro d'article :
SI2315BDS-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
715pF @ 6V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
750mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / caisse :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1622790 Pièces
Prix de référence
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