SI2323DS-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SI2323DS-T1-GE3
Numéro d'article : SI2323DS-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1020pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 750mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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