SI3812DV-T1-E3 Fiche technique
Spécifications pour SI3812DV-T1-E3
Numéro d'article : SI3812DV-T1-E3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Séries : LITTLE FOOT®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) : 830mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-TSOP
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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