SI3850ADV-T1-E3 Fiche technique
Spécifications pour SI3850ADV-T1-E3
Numéro d'article : SI3850ADV-T1-E3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N and P-Channel, Common Drain
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.4A, 960mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 1.08W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur : 6-TSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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