SI4666DY-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SI4666DY-T1-GE3
Numéro d'article : SI4666DY-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1145pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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