SI4925BDY-T1-E3 Fiche technique
Spécifications pour SI4925BDY-T1-E3
Numéro d'article :
SI4925BDY-T1-E3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Puissance - Max :
1.1W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
8-SO
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
822390 Pièces
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