SI4965DY-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SI4965DY-T1-GE3
Numéro d'article : SI4965DY-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 2W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
29113 Pièces
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