SI5511DC-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SI5511DC-T1-GE3
Numéro d'article : SI5511DC-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.1nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 435pF @ 15V
Puissance - Max : 3.1W, 2.6W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur : 1206-8 ChipFET™
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
29071 Pièces
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