SI5902BDC-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SI5902BDC-T1-GE3
Numéro d'article : SI5902BDC-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 15V
Puissance - Max : 3.12W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur : 1206-8 ChipFET™
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
750325 Pièces
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