SI6973DQ-T1-E3 Fiche technique
Spécifications pour SI6973DQ-T1-E3
Numéro d'article : SI6973DQ-T1-E3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 830mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-TSSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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