SI7455DP-T1-E3 Fiche technique
Spécifications pour SI7455DP-T1-E3
Numéro d'article : SI7455DP-T1-E3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 28A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5160pF @ 40V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8
Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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