SIA427DJ-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SIA427DJ-T1-GE3
Numéro d'article : SIA427DJ-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 5V
Vgs (Max) : ±5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2300pF @ 4V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquet / caisse : PowerPAK® SC-70-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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