SICRB5650TR Fiche technique
Spécifications pour SICRB5650TR
Numéro d'article : SICRB5650TR
Fabricant : SMC Diode Solutions
La description : DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 650V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 5A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 5A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 60µA @ 650V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SICRB5650TR
Fabricant
Brève description
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
213400 Pièces
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