SIR802DP-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SIR802DP-T1-GE3
Numéro d'article :
SIR802DP-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (Max) :
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1785pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
4.6W (Ta), 27.7W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PowerPAK® SO-8
Paquet / caisse :
PowerPAK® SO-8
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
21287 Pièces
Prix de référence
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