SIS888DN-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SIS888DN-T1-GE3
Numéro d'article : SIS888DN-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
Séries : ThunderFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 75V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 52W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8S
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
603435 Pièces
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