SISS23DN-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SISS23DN-T1-GE3
Numéro d'article : SISS23DN-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8840pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Température de fonctionnement : -50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1261410 Pièces
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