SIZ904DT-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SIZ904DT-T1-GE3
Numéro d'article : SIZ904DT-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 435pF @ 15V
Puissance - Max : 20W, 33W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-PowerPair™
Package d'appareils du fournisseur : 6-PowerPair™
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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