SM8S11AHE3/2D Fiche technique
Spécifications pour SM8S11AHE3/2D
Numéro d'article :
SM8S11AHE3/2D
Fabricant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description :
TVS DIODE 11V 18.2V DO218AB
Séries :
Automotive, AEC-Q101, PAR®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type :
Zener
Canaux Unidirectionnels :
1
Canaux bidirectionnels :
-
Tension - Entretoise inversée (type) :
11V
Tension - Panne (Min) :
12.2V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp :
18.2V
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) :
363A
Puissance - Peak Pulse :
6600W (6.6kW)
Protection de ligne électrique :
No
Applications :
Automotive
Capacité à fréquence :
-
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
DO-218AB
Package d'appareils du fournisseur :
DO-218AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
TVS DIODE 11V 18.2V DO218AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
56095 Pièces
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Produits associés pour SM8S11AHE3/2D Vishay Semiconductor Diodes Division
| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 7NSNS 324BGA |
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Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 10.8NS 324BGA |
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|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 8MC 15NS 20PLCC |
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|
Intel |
IC CPLD 512MC 12NS 208QFP |
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|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 512MC 3.5NS 256FTBGA |
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|
Intel |
IC CPLD 128MC 7.5NS 144TQFP |
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|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 9NS 324FBGA |
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|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 9NS 256BGA |
||
|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 512MC 7.5NS 176TQFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 10.8NS 256BGA |