Spécifications pour SPD50P03LGXT

Numéro d'article : SPD50P03LGXT
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
Séries : OptiMOS®-P
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 126nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6880pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 150W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-5
Paquet / caisse : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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