SQ4937EY-T1_GE3 Fiche technique
Spécifications pour SQ4937EY-T1_GE3
Numéro d'article : SQ4937EY-T1_GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SOIC
Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 25V
Puissance - Max : 3.3W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
792010 Pièces
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