SQR70090ELR_GE3 Fiche technique
Spécifications pour SQR70090ELR_GE3
Numéro d'article : SQR70090ELR_GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CHANNEL 100V 86A DPAK
Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 86A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3500pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 136W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D-PAK (TO-252)
Paquet / caisse : TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CHANNEL 100V 86A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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