SSM3J114TU(T5L,T) Fiche technique
Spécifications pour SSM3J114TU(T5L,T)
Numéro d'article :
SSM3J114TU(T5L,T)
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
1.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
149 mOhm @ 600mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
7.7nC @ 4V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
331pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
500mW (Ta)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
UFM
Paquet / caisse :
3-SMD, Flat Leads
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
11064 Pièces
Prix de référence
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