Spécifications pour SSM3K15AFU,LF

Numéro d'article : SSM3K15AFU,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
Séries : U-MOSIII
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 13.5pF @ 3V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 150mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : USM
Paquet / caisse : SC-70, SOT-323
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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